受ai算力、光通信、激光雷达等下游应用爆发式增长影响，磷化铟晶圆全球性缺货。全球产能集中在日美法企业，国内虽加速扩产但短期内难以填补缺口。2024年以来磷化铟晶圆价格同比上涨超30%，部分高端产品涨幅达50%。

数据中心向800g/1.6t光模块升级，磷化铟衬底需求呈现指数级增长。磷化铟具备高电子迁移率和宽光谱响应，是制造高速光芯片的理想材料。未来几年光模块市场将保持高速增长，带动上游磷化铟产业链持续受益。

磷化铟激光器具备高响应速度和稳定性，适用于远距离、高精度探测。l3级以上自动驾驶普及将带动激光雷达装车量快速增长。磷化铟晶圆厂商与激光雷达模组厂商形成深度绑定，推动国产替代进程。

磷化铟hemt/hbt芯片在高频段性能远超硅基方案，适用于卫星通信、雷达等高端领域。全球卫星互联网建设加速，中国低轨卫星通信计划推动高频芯片需求上升。未来5年高频通信芯片市场规模有望翻倍，带动磷化铟材料需求持续增长。

晶圆制造需要大量高纯度石英件、检测设备等配套产品，带动上游设备厂商增长。国内设备厂商逐步突破海外垄断，进入主流晶圆厂供应链。2024年国内化合物半导体设备及耗材订单同比增长超30%，未来三年有望持续高增。

全球铟资源主要分布在中国、秘鲁、加拿大，中国储量和产量居全球前列。中国将铟列入出口管制清单，推动下游材料企业加快国产替代步伐。磷化铟晶圆企业将优先采购国产铟资源，提升国内资源企业的议价能力。