$英诺赛科(HK|02577)$ 英诺赛科公告称，将用第三代GaN（氮化镓）器件为英伟达新一代800 VDC供电架构提供全链路电源解决方案，从而推动AI数据中心从千瓦级跃升到兆瓦级。
在第三代半导体赛道，GaN被视作继硅、碳化硅之后的新战场。国内数据中心相关人士告诉笔者，从技术来看，800 VDC+GaN是目前国内最好的水平。随着大模型参数规模指数级增长，AI算力需求激增，传统数据中心供电架构已无法满足需求。800 VDC即800伏直流电压，GaN作为第三代半导体材料，具备高电子迁移率、高耐压、低导通损耗的特性，特别适合高频、高压应用。二者组合能够降低数据中心的电能损耗、散热需求等。
具体到英诺赛科，其主要布局8英寸GaN晶圆。目前，全球主流产线仍为6英寸，英诺赛科是唯一一家可量产8英寸GaN晶圆的企业，且具备从设计、制造，到封测一体化的能力。根据此前招股书披露，截至2024年6月30日，苏州英诺赛科半导体生产基地已成为全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造厂。另据公开报道，英诺赛科仍在扩产。英诺赛科曾计划将当前每月13000片的产能提升至2025年底的20000片，长远目标是未来五年内将月产能进一步扩大至70000片。
从市场需求来看，英诺赛科的产品不仅能够应用在数据中心，还可用于消费电子、新能源车等领域。结合招股书及2024年财报数据，目前，英诺赛科呈营收连年增长，亏损逐步收窄的趋势。
数据显示，2022年、2023年、2024年，英诺赛科总营收分别为1.36亿、5.93亿、8.28亿元，同期净亏损为22.05亿、11.02亿、10.46亿元。其中，2024年，英诺赛科车规芯片交付量同比增长986.7%，AI及数据中心芯片交付量同比增长669.8%。
值得一提的是，除了专利，台积电的关厂消息也直接利好英诺赛科。富瑞发布最新报告显示，台积电2026年关闭氮化镓代工产能会把同为英伟达供货商的纳微推向缺货风险，而拥有自建8英寸晶圆厂的英诺赛科反而因此受益。
据富瑞估算，AI服务器氮化镓市场2027年起每年至少15-25亿美元，若英诺赛科拿下50%份额，上周五股价大涨只折算了5倍PE的潜在利润，未来还有巨大上涨空间，但短期也可能继续获利回吐。
