“碳化硅功率半导体的器件性能非常优越，特别是大功率高压800伏以上，性能卓越是无可争议的。过去，由于材料可控性差，在二三十年之前整个供应端都是供不应求，难以支撑下游的需要，2022年之后，由于天岳先进的发展带动了整个行业的发展，解决了这几十年的供应问题。”9月10日，在由《中国经营报》主办的科创板迈向“新高地”暨“硬科硬客”2025年会圆桌论坛环节中，谈及技术突破，天岳先进董事长宗艳民如是表示。
宗艳民强调：“没有科创板，就没有临港工厂，天岳先进也难以在行业竞争中获得规模化优势。”宗艳民多次强调科创板的关键作用。但他同时指出，硬科技无法速成。“真正的护城河要靠长期研发积累。例如我们的液相法技术，从2013年立项到真正全球领先，用了整整十年。”在他看来，很多核心技术需从基础研究做起，“如果只解决眼前生产问题，很难形成硬核科技竞争力”，科创板上市后，公司加大了研发投入，布局了很多行业前沿技术，有的进入了无人区，需要开展大量的基础研究，需要时间、需要资金，这些前沿技术结题后，天岳先进将形成更多的核心技术，形成更强的护城河。
破局之路：从受制于人到全球引领
宗艳民介绍，Wolf（Wolfspeed）是碳化硅领域的先驱，我们都非常尊重他，其所从事的碳化硅半导体材料，在射频领域主要应用是5G基站及微波通讯，在电力电子领域主要是电动汽车、光伏储能、数字中心、电网。
在他看来，碳化硅制备是一项极端复杂的技术挑战——其单晶生长需在约2300℃高温下完成，且缺陷控制难度极高。“碳化硅是化合物半导体材料，硅活跃、碳迟钝，将两者结合为化合物半导体，本身就是技术上的极大挑战。”
在圆桌讨论中回顾行业历程时，宗艳民指出，国际巨头Wolfspeed（原CREE）作为行业先驱，从1英寸到6英寸衬底花费数十年，而天岳先进仅用几年就实现了从6英寸到12英寸的跨越，极大推动了中国碳化硅材料的自主进程。
天岳先进的突破不仅是技术层面的超越，更意味着产业链主导权的重塑。宗艳民总结，公司从根本上解决了困扰行业多年的三大瓶颈：品质（缺陷过多影响器件性能）、价格（过高难以大规模应用）、产量（过低难以支撑应用）。尤其值得一提的是，有行业报道称，碳化硅MOSFET在相同功率密度下的成本已低于硅基IGBT，“这一拐点将加速推动碳化硅进入广泛应用时代”。碳化硅单晶材料性能非常卓越，在声光热电等领域都将会有广泛的应用。
未来已来：碳化硅的“新战场”与天岳的布局
针对主持人提出的“百镜大战”（AI眼镜竞争）材料需求，宗艳民解释道，碳化硅因折射率高达2.6，是光波导镜片的理想材料。但过去受制于衬底尺寸和缺陷，一片8英寸衬底仅能制造3—5副眼镜，导致其只能用于极高端领域。而天岳先进2024年11月发布的12英寸衬底改变了局面，“一片可做10—12副镜片，使碳化硅光学应用从高端走向民用”，这为包括Meta等全球产业龙头打开了一个重大的通道。
他透露，公司正与全球光学头部客户紧密推进产品导入，“碳化硅光学眼镜很快将走向市场，未来碳化硅光波导眼镜的市场规模可达数亿副”。
关于英伟达拟在2027年Rubin GPU中采用碳化硅作先进封装散热层这一话题，宗艳民也发表看法：“在2纳米的大算力芯片中，发热问题会非常大，散热处理非常重要且急迫。之前尝试用玻璃介质做热处理，玻璃的导热性能还是达不到要求。另外，日本的科学家尝试采用塑料做介质，导热也达不到。”
宗艳民进一步分析，经过一系列试验，目前基本确定只有靠碳化硅衬底。“虽对缺陷密度相对于半导体器件要求较低，但对衬底面型平整度要求极高，从性价比角度来看碳化硅衬底尺寸至少用12英寸以上的。”这将为碳化硅应用又带来一个重大机遇。
此外，8月天岳先进成功登陆H股，进一步助力天岳先进开拓国际市场、整合全球资源。
科创心声：“耐心资本”才是硬科技的真正土壤
“天岳先进得益于科创板得到很大的发展，天岳先进是2022年1月在科创板上市，因为科创板募集的资金才在上海临港建了新工厂，扩大了产能和规模，加大了研发投入。在行业竞争过程中占了一定的优势地位，取得比较领先的行业地位。”作为科创板的受益者，宗艳民多次强调资本市场对硬科技的关键支持。
他呼吁投资人给予科创企业更多“耐心资本”：“科创企业都需要时间构建技术护城河。就像碳化硅，没有五年以上很难构建全球领先的技术。”
“比如我们从事的液相法研究，课题成立于2013年，到现在才可以很自豪地讲碳化硅液相法技术绝对领先于全球。每一项技术必须从基础研究投入才能够积累沉淀出领先全球的技术。如果说很简单地解决生产中运营的技术问题，那很难形成强大护城河的先进技术，很难成为硬核科技。”宗艳民举例表示。
他希望投资人能以更长视角评价企业价值，支持企业沉淀核心竞争力而非仅关注短期指标，企业需要的是资本的理解和陪伴。“科创企业都有抱负和梦想，渴望在技术上走在行业前列。”
