捷佳伟创与中山大学联合攻克TCO薄膜技术瓶颈的深度研究
一、项目背景与技术突破概述
透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)薄膜因其独特的光电特性，在太阳能电池、显示器、触摸屏等领域具有广泛应用前景。然而，长期以来，TCO薄膜的制备面临着电子迁移率与薄膜厚度之间相互制约的技术瓶颈 。传统制备方法中，薄膜厚度增加会导致电子迁移率下降，而提高电子迁移率又需要增加薄膜厚度，这一矛盾严重限制了TCO薄膜在高性能光电器件中的应用。
2025年9月初，捷佳伟创与中山大学材料学院联合宣布，他们成功攻克了这一技术瓶颈，创新性地提出了"临界成核策略"(Critical Nucleation Strategy, CNS)，并成功制备出高电子迁移率的铈掺杂氧化铟(Indium Cerium Oxide, ICO)薄膜 。这项研究成果已于近期以《Eliminating Mobility-Thicknes……
一、项目背景与技术突破概述
透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)薄膜因其独特的光电特性，在太阳能电池、显示器、触摸屏等领域具有广泛应用前景。然而，长期以来，TCO薄膜的制备面临着电子迁移率与薄膜厚度之间相互制约的技术瓶颈 。传统制备方法中，薄膜厚度增加会导致电子迁移率下降，而提高电子迁移率又需要增加薄膜厚度，这一矛盾严重限制了TCO薄膜在高性能光电器件中的应用。
2025年9月初，捷佳伟创与中山大学材料学院联合宣布，他们成功攻克了这一技术瓶颈，创新性地提出了"临界成核策略"(Critical Nucleation Strategy, CNS)，并成功制备出高电子迁移率的铈掺杂氧化铟(Indium Cerium Oxide, ICO)薄膜 。这项研究成果已于近期以《Eliminating Mobility-Thicknes……
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发表于 2025-09-08 18:09:50
来源：人民财讯
人民财讯9月8日电，据捷佳伟创消息，近日，捷佳伟创联合中山大学材料学院成功攻克了透明导电氧化物（TCO）薄膜的技术瓶颈，创新性地提出“临界成核策略”，成功制备出高电子迁移率的铈掺杂氧化铟（ICO）薄膜。该研究成果已于近日以《Eliminating Mobility-Thickness Dependence in Transparent Conductive Oxide Layer Growth: A Critical Nucleation Strategy》为题发表于国际顶级材料期刊《Advanced Materials》。
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