存储芯片作为半导体行业的“黄金赛道”，其价格波动与指数走势的关联度高达85%——历次全球存储涨价潮中，国证芯片指数均上演“指数级暴涨”戏码，而半导体ETF（159813）正是这场盛宴的“头等舱门票”。

一、2016-2017年：智能手机与数据中心驱动的首轮涨价潮

2016年，智能手机存储容量升级趋势明显，例如iPhone 7首次引入256GB版本，这极大地推动了NAND Flash的需求增长。同时，数据中心建设也在加速，进一步加剧了存储芯片的供需矛盾。2017年，NAND Flash价格同比上涨超50%，DRAM价格涨幅也超过40%。在此背景下，国证芯片指数（980017）表现出色，全年涨幅达57%，显著跑赢大盘。成分股中，兆易创新（存储芯片设计）和长电科技（封测）等企业的股价更是实现翻倍增长。这一轮涨价潮充分展示了存储芯片市场需求的强劲动力，以及其对半导体行业整体的拉动作用。

（数据来源：iFinD，时间2017年6月-2017年11月）

二、2020-2021年：疫情催生的“宅经济”与芯片短缺

2020年，疫情的爆发催生了“宅经济”，远程办公、在线教育等需求激增，推动了PC和服务器的出货量分别增长13%和11%。与此同时，全球芯片短缺问题也日益严重，存储芯片供不应求。2021年，DRAM合约价上涨20%-30%，NAND Flash价格也上涨15%-20%。跟踪国证芯片指数的半导体ETF（159813）在此期间累计涨幅超73%，成分股如北方华创（设备）、中芯国际（制造）等市值突破千亿。这一轮涨价潮反映了疫情对半导体产业链的深远影响，以及存储芯片在支撑数字经济运转中的关键作用。

（数据来源：iFinD，时间2021年3月-2021年7月）

三、2023-2024年：减产策略与AI需求共振的复苏周期

2023年，存储厂商为了应对市场供需失衡，纷纷采取减产策略。其中，三星NAND减产幅度高达50%。与此同时，AI大模型训练需求的爆发也为存储芯片市场注入了新的活力。2024年，NAND Flash价格同比上涨23%-28%，DRAM价格也上涨20%。跟踪国证芯片指数的半导体ETF（159813）在此期间涨幅超81%，成分股如澜起科技（内存接口芯片）、江波龙（存储模组）等业绩扭亏为盈。这一轮涨价潮表明，在AI技术的推动下，存储芯片市场正在迎来新的复苏周期。

（数据来源：iFinD，时间2024年9月-2021年11月）

四、2025年最新动态：AI技术成为核心驱动力

进入2025年，存储芯片涨价趋势延续，高端产品领涨。闪迪宣布存储产品涨价10%，其他厂商也上调了DDR4和DDR5的价格。同时，AI专用芯片如高带宽内存需求激增，价格同比上涨10%-15%。在此背景下，国证芯片指数成分股中，澜起科技作为DDR5接口芯片龙头，2025年一季度净利润同比增长10倍%。存储涨价或将再度撬动整个芯片板块，国证芯片指数当前还处于底部区域，跟踪国证芯片指数的半导体ETF（159813）近期缩量震荡，有明显的筑底迹象。

通过回顾近10年存储芯片涨价过程中，国证芯片指数的具体表现情况，我们可以清晰地看到存储涨价对半导体ETF（159813）的刺激作用。半导体ETF（159813）作为跟踪国证芯片指数的基金，能够充分受益于存储芯片涨价带来的市场机遇。

半导体板块关联个股：中芯国际、海光信息、寒武纪-U 、北方华创、韦尔股份、中微公司、澜起科技、兆易创新、长电科技、紫光国微。

（文中个股仅作示例，不构成实际投资建议。基金有风险，投资须谨慎。）

相关基金：

$半导体ETF(SZ159813)$、$大数据ETF(SZ159739)$

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