公告日期：2025-08-29

江苏宏微科技股份有限公司

关于公司 2025 年度提质增效重回报专项行动方案的
半年度评估报告

江苏宏微科技股份有限公司（以下简称“公司”）为践行“以投资者为本”的上市公司发展理念，维护全体股东利益，基于对公司未来发展前景的信心，对公司价值的认可和切实履行社会责任，公司特制定 2025 年度“提质增效重回报”行动方案（以下简称“行动方案”），以进一步提升公司经营质量，强化管理能力，保障投资者权益。

2025 年上半年，公司根据该行动方案积极落实相关举措并认真评估实施效果，行动方案实施情况报告如下：

一、 聚焦公司主营业务，持续强化核心竞争力

公司自设立以来一直从事 IGBT、FRD 为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售，并为客户提供功率半导体器件的解决方案，IGBT、
FRD 单管和模块的核心是 IGBT 和 FRD 芯片，公司拥有诸多具有一定先进性的
相关知识产权。公司主营业务中的单管完全采用自研芯片，模块产品以自研芯片为主，外购芯片为辅。IGBT、FRD 作为功率半导体器件的主要代表，是电气与自动化、电力传输与信息通信系统中的核心器件。在当前复杂而严峻的国际形势下，积极推动我国功率半导体材料、芯片、封测的国产化进程具有极其重大的意义，而研发和生产自主可控的 IGBT、FRD 芯片及模块已成为国家战略新兴产业发展的重点。

报告期内，公司围绕超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术等核心技术不断创新，产品全面覆盖新能源汽车、新能源发电、储能、工业控制、AI 电源、机器人等领域需求，持续围绕微沟槽 IGBT 技术、虚拟原胞技术、逆导 IGBT 技术等多项第七代功率芯片关键技术进行创新。

2025 年上半年，公司实现营业收入 680,274,323.09 元，同比增加 6.86%；实
现归属于上市公司股东的净利润 2,978,037.94 元，同比增加 18.45%。

2025 年下半年，公司管理团队将在董事会的领导下，继续围绕发展战略，为实现既定经营目标努力。公司将持续加码前瞻性研发投入，丰富产品矩阵；聚焦市场定位，提升市场拓展能力；深耕精细化管理，加强费用和成本管控。多措并举，夯实公司的核心竞争力，推动公司持续健康发展。

二、 深耕研发创新筑根基，突破前沿技术拓新局

2025 年上半年，公司持续加大对核心技术的研发投入，并致力于技术产品创新和升级。报告期内，公司研发人员数量为 220 人，同比增长 4.76%，其中硕
士、博士合计 46 人，占研发人员总数的比例为 20.91%。公司 2025 年上半年实
现研发投入 5,856.61 万元，占营业收入的比例为 8.61% ， 研发投入同比增加8.64%。截至报告期末，公司共有专利 139 项，其中发明专利 46 项，实用新型专利 83 项，外观设计专利 10 项。

报告期内，公司第三代半导体研发成果显著：

（1）SiC MOSFET 芯片：公司首款 1200V 40mohm SiC MOSFET 芯片研制
成功，已通过可靠性验证；车规 1200V 13mohm SiC MOSFET 芯片研制成功，已
通过可靠性验证。

（2）SiC SBD 芯片：自主研发的 SiC SBD（肖特基势垒二极管）芯片已经
通过多家终端客户可靠性和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成批量出货。

（3）GaN 芯片：自主研发的 GaN 650V 75mohm 芯片研制成功，报告期内
已全面通过内部可靠性验证流程，目前正进入客户导入阶段，现有序安排向多家战略合作客户送样验证。此项成果标志着公司在 GaN 功率器件的技术实力取得实质性跃升，为拓展 AI 服务器电源和人形机器人等高增长市场奠定基础，进一步强化了公司在宽禁带半导体技术路线的战略竞争力。

面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大研发投入，构建以 SiC、GaN 为主要方向，兼顾第四代半导体的多元化技术体系，加速 SiC、GaN 器件在战略新兴领域的产业化导入，
探索 AI 电源、机器人等成长性应用场景，并挖掘先进能源与新型电力系统等前沿方向的应用潜力，形成从技术积累到成果转化的持续推进。

三、 推进募投项目建设，加强募集资金管理

2025 年 4 月 14 日，公司第五届董事会第八次会议审议通过了《关于向不特
定对象发行可转换公司债券募投项目延期的议案》，为保障公司募集资金……
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