9月4日，在第十三届半导体设备与核心部件及材料展（CSEAC 2025）上，中微公司宣布推出六款半导体设备新产品。这些设备覆盖等离子体刻蚀（Etch）、原子层沉积（ALD）及外延（EPI）等关键工艺。
在CSEAC 2025的开幕式上，中微公司董事长兼总经理尹志尧在主旨报告环节宣布了上述六款新设备的发布，并深入阐述了新产品的先进性能与独特优势。他介绍，中微公司始终以市场与客户需求为导向，持续加大研发力度。公司2025年上半年研发投入达14.92亿元，同比增长约53.70%，研发投入占公司营业收入比例约为30.07%，远高于科创板上市公司10%到15%的平均研发投入水平。
“目前，公司在研项目涵盖六大类、超二十款新设备，研发速度实现跨越式提升 ——过去一款新设备的开发周期通常为3到5年，如今仅需2年甚至更短时间就能推出极具市场竞争力的产品并顺利落地。”尹志尧谈到。
具体来看新产品，在刻蚀技术方面，中微公司此次发布的两款新品分别在极高深宽比刻蚀及金属刻蚀领域为客户提供了领先和高效的解决方案。其中，中微公司新一代极高深宽比等离子体刻蚀“利器”—— CCP电容性高能等离子体刻蚀机Primo UD-RIE®基于成熟的 Primo HD-RIE®设计架构并全面升级，配备六个单反应台反应腔，通过更低频率、更大功率的射频偏压电源，提供更高离子轰击能量，可以满足极高深宽比刻蚀的严苛要求，兼顾刻蚀精度与生产效率。
同步亮相的Primo Menova 12 寸ICP单腔刻蚀设备，专注于金属刻蚀领域，尤其擅长金属Al线、Al块刻蚀，广泛适用于功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造，是晶圆厂金属化工艺的核心设备。今年6月，该设备的全球首台机已付运到客户认证，进展顺利，并和更多的客户展开合作。
在此次新品发布中，中微公司推出的12英寸原子层沉积产品 Preforma Uniflash® 金属栅系列，成为薄膜沉积领域的一大亮点。该系列涵盖Preforma Uniflash® TiN、Preforma Uniflash® TiAI及Preforma Uniflash® TaN三大产品，能够满足先进逻辑与先进存储器件在金属栅方面的应用需求。
中微公司在新兴技术领域的布局同样受到关注。据公司相关负责人介绍，公司发布的全球首款双腔减压外延设备PRIMIO Epita® RP，凭借独特设计成为行业焦点。作为目前市场上独有的双腔设计外延减压设备，其反应腔体积为全球最小，且可灵活配置多至6个反应腔，在显著降低生产成本与化学品消耗的同时，实现了高生产效率。该设备搭载拥有完全自主知识产权的双腔设计、多层独立控制气体分区，以及具备多个径向调节能力的温场和温控设计，确保了优秀的流场与温场均匀性及调节能力。凭借卓越的工艺适应性和兼容性，该设备可满足从成熟到先进节点的逻辑、存储和功率器件等多领域外延工艺需求。去年8月，该设备已付运到客户进行成熟制程和先进制程验证，进展顺利。
资料显示，作为国内高端半导体设备制造的领军者，中微公司等离子体刻蚀设备已应用于国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米、5纳米及其他先进集成电路加工制造生产线，以及先进存储、先进封装生产线。其中，CCP电容性高能等离子体刻蚀机和ICP电感性低能等离子体刻蚀机可覆盖国内95%以上的刻蚀应用需求。截至2025年6月底，公司累计已有超6800台等离子体刻蚀和化学薄膜设备的反应台，在国内外155条生产线实现量产和大规模重复性销售。
