立昂微：
尊敬的投资者：您好，感谢您对本公司的关注。立昂东芯生产的HBT属于双极型晶体管（BJT）的一种，InP HBT器件，主要利用的是InP中载流子迁移率高的特征，使得少子渡越时间充分的短，目前InP HBT主流都是采用DHBT结构，即Emitter-Base、Base-Collector都是异质结，这样能够抑制暗电流、提升效率和击穿等，获得更多的性能资源。磷化铟光芯片则是利用InP的发光特性和光传输特性以及光电效应，形成光发生器，光传导，光接收甚至光调制的功能，将信息负载于光信号，形成高速的通信能力或者信息收发能力，与立昂东芯生产的HBT产品存在区别。 但对于光模块，需要有发光和接受部分，也需要有高速处理信息和高速调制光源的能力，此时InP HBT也是关键的光模块组成部分之一。谢谢。