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华为披露氮化镓最新技术 产业链有望迎来机遇

华为公司与山东大学的研究团队近日联合宣布，他们在高压电力电子器件领域取得了重大突破。双方成功开发出一种1200V全垂直GaN-on-Si沟槽MOSFET，其核心技术创新“氟注入终端（FIT-MOS）技术”显著提升了器件的性能，使其达到了与成本高昂的GaN衬底器件相当的水平。这项研究成果为千伏级电力电子系统提供了极具成本效益的解决方案。

这项成果发表于《IEEE电子器件快报》，有望推动氮化镓器件在新能源汽车快充、光伏储能、5G通信设备等领域的普及，降低成本，加速市场应用。据QYR数据，全球氮化镓器件市场预计2030年达60亿美元，年复合增长率31.2%。华为的突破或成行业拐点，为上下游产业链带来新机遇。