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发表于 2025-09-08 19:16:17
发布于 山东
人民财讯9月8日电，据捷佳伟创消息，近日，捷佳伟创联合中山大学材料学院成功攻克了透明导电氧化物（TCO）薄膜的技术瓶颈，创新性地提出“临界成核策略”，成功制备出高电子迁移率的铈掺杂氧化铟（ICO）薄膜。该研究成果已于近日以《Eliminating Mobility-Thickness Dependence in Transparent Conductive Oxide Layer Growth: A Critica
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