程序化高频交易的恶心量化,对道氏股价正常的合理上涨,其杀伤力危害性是大家无法想象的,因此需要多路资金~联手合力,花代价~也要围剿搞垮道氏这里的那三家(坑害散户)的野蛮量化,只有这样,才能让道氏股价~重见应有的光明,绽放~寡壁碳纳米管(供不应求)和单壁碳纳米管(材料之王)~属于道氏独特的光芒!!!
单壁碳纳米管~常被称为“材料之王”,其应用前景~绝对不亚于【光启技术】的“超材料”,单壁碳纳米管是一种具有特殊结构的一维量子材料,单壁碳纳米管~可用于制造柔性电子皮肤,这种电子皮肤能够模拟人类皮肤的功能,具备高灵敏度、柔韧性、耐用性和低功耗等特点。
单壁碳纳米管~因其卓越的力学性能、电学性能和高灵敏度等特性,在人形机器人上有广泛的运用前景,特别在~制造人形机器人手臂关节方面,碳纳米管是制造人形机器人理想的材料,可作为传感器、结构材料、驱动器等关键零部件,公司目前正在开展相关的研发测试及市场推广工作。
高能量密度、高安全性能的固态电池是推动机器人电动化的关键因素之一,是未来机器人(包括工业机器人和人形机器人)用电池的主流解决方案
公司单壁碳纳米管材料~在机器人领域的运用主要是运用在人形机器人的电子皮肤上,公司正在与头部的电子皮肤供应商展开测试合作,计划推广到整个行业。
2024年,公司就成立了固态电池研究院(中国首家~也是独家),聚焦固态电池全材料领域,通过整合现有~单壁碳纳米管、硅基负极、高镍三元正极前驱体、富锂锰基正极前驱体、石墨负极等材料、以及固态电解质的研究成果,形成固态电池全材料的整体解决方案
富锂锰基前驱体~作为固态电池正极材料的关键基础,凭借其高容量、低成本及适配高压体系的特性,正成为下一代高能量密度电池的核心方向。公司富锂锰基前驱体~2025年已批量出货,同时低成本的富锂锰基产品~也在持续开发和验证中,公司将持续推进富锂锰基前驱体的产业化研究。
2025年,道氏公司正在积极夯实固态电池材料工艺技术、深度整合力量、布局新的产能,全力布局推进单壁碳纳米管、硅碳负极、硫化物电解质等固态电池核心材料的大规模产业化。
公司形成了一支以中山大学卢侠教授为固态电池方向首席科学家,清华、北大、华南理工等国内一流高校博士领衔的创新研发团队,共同合作开发硫化物、氧化物等固态电池相关材料。目前公司已实现自主研发硫化锂,能满足固态电池生产需求,未来有望率先实现高性能固态电解质的生产和销售
高镍三元前驱体形貌和微观孔隙率控制技术~是公司拥有独特的绝活技术优势,道氏技术的多孔蜂窝结构~处于全国领先水平,主要起提升材料强度和循环寿命,这种多孔蜂窝单晶型高镍三元前驱体技术~未来可应用于固态电池
公司的高镍三元前驱体工艺~湿法共沉淀仍是目前市场的主流,通过优化陈化和煅烧工艺,形成单晶结构,单晶化和掺杂改性是未来的关键方向,公司单晶工艺的晶体结构控制技术~目前属国内领先
最近这两三年,公司持续巩固的技术壁垒,高温烧结炉工艺~支撑道氏技术全球高镍单晶市占率 25%,客户涵盖宁德时代、LG新能源等头部电池厂
道氏技术~依托独特的高温烧结炉 ~精准温控、高效节能、智能化工艺、以及 前瞻性“绝活技术”布局,在目前锂电池“三元正极前驱体”材料制造领域,树立了细分行业标杆,未来将适配固态电池材料的烧结能力,为下一代技术竞争~奠定基础
一、目前中国最顶尖的硅碳负极企业~凤毛麟角,与国际一流企业Group 14做一下对比 (G14公司的比容量2000mAh,且首次效率高达90%)
上海洗霸的比容量1850mah,首次效率90%,只有这种“不算超强”的性能,股价也被莫明其妙~炒到70多元高度,道氏今天2025年8月6日上午,股价才18元,绝对不合理!
贝特瑞公司~制备的硅碳负极材料比容量1600mah,首次效率76%
道氏公司通过对“硅碳负极”的创新技术完成~高强度多孔碳的自制和球形球貌的控制,在测试中,以公司“自研多孔碳”为基体,通过气相沉积硅后~制得的硅碳负极~首效很高,半电池0.8V的首效可达87%以上,在全电池中首效(91.5%)比竞争对手高1.5%左右,是目前行业内首款,也是唯一一款能实现此首效的硅碳负极产品。
二、核心技术具有独创性: 公司制备的“硅碳负极”主要采用气相法工艺,目前已经量产~有多款“硅碳负极”产品,涵盖生物质基、树脂基和球形树脂基,其中有多款产品的核心技术具有独创性。
三、硅碳负极产能布局进展: 公司布局的“硅碳负极”材料,在2024年上半年~公司的中试线已建成,并 已实现小批量销售。
四 、公司“硅碳负极”产品~潜力优势巨大:
“硅碳负极”送样~已涵盖国内头部数码类、动力类 和消费类电芯厂,包括珠海冠宇、国轩高科、中创新航、欣旺达等30余家,测试反馈良好。
2024年,公司在部分消费类手机电池厂已通过测试认证,并且实现小批量供货
2024年起,气相沉积法(CVD)硅碳负极在荣耀、华为、VIVO、OPPO等高端手机机型上大规模应用,预计2025年渗透率将进一步提升至25%
2025年为CVD硅碳负极放量元年,全球总出货有望达0.15万吨,2030年全球行业需求有望增长至7.7万吨,实现5年50倍增长。
“碳基芯片”的前驱体~就是“单壁碳纳米管”晶体管,未来“碳基芯片”全球必将爆发,到时候用于生产“碳基芯片”的高端材料,谁会最受益?当然离不开~道氏技术!!!
北大重庆碳基院~25年“磨一剑”,“要想不受制于人,我们必须要发展自己的集成电路技术”,2025年6月国内首条碳基集成电路生产线~终于在重庆诞生
“碳基芯片~可绕过先进光刻机的限制,具有更广泛的应用前景”, 早在2009年,国际半导体技术发展路线图(ITRS)委员会就把“碳纳米管”列为延续摩尔定律的未来集成电路材料选择。
单壁碳纳米管~常被称为“材料之王”,是一种具有特殊结构的一维量子材料,单壁碳纳米管直径只有1—2纳米,相当于头发丝的50万分之一,这些管子虽小,却有强大到令人惊叹的特性~电子在碳纳米管里的移动速度比在硅里快约10倍,这意味着,它能制造出运算速度更快的电子器件,且功耗低、散热效果好。更重要的是,碳基芯片能实现晶体管的三维集成(有别于硅基芯片只是晶体管的二维集成),从而达到更高的集成度,在理论上“碳基芯片”具有更高的性能潜力,有望打破摩尔定律的“天花板”,突破当前“硅基芯片”面临的技术瓶颈。
如今,北大重庆碳基院~用单壁碳纳米管晶体管~制备的碳基晶圆(一片8英寸碳基晶圆能分割出100多颗碳基芯片),再依托新技术工艺,从碳基晶圆~制成“碳基芯片”,综合性能~可以比“硅基芯片”提高成百上千倍,逐渐成为学界的共识。
北大重庆碳基院技术研发人员王程博称,目前,研究院正聚焦智能传感、模拟射频、先进电子、AI芯片四个应用方向,后续将逐步推进“碳基芯片”产品的应用开发