根据最新市场动态及公司公开信息，道氏技术与脑机接口概念的关联性集中在单壁碳纳米管材料的颠覆性应用上，具体关联逻辑如下：

一、核心关联：单壁碳纳米管赋能脑机接口电极

材料性能突破

道氏技术研发的单壁碳纳米管具备 0.3-2纳米超薄厚度（比头发丝细万倍）、铜的100倍导电性及超强柔韧性，可大幅提升脑机接口电极的信号采集精度。现有金属电极需深度植入大脑皮层，而碳纳米管可实现浅层植入甚至非侵入式信号捕捉。

技术适配性

单壁碳纳米管的高比表面积（1300/g）和生物相容性，能精准捕捉微弱脑电波信号，降低植入创伤风险，契合马斯克Neuralink等头部企业的技术升级需求。

二、产业化进展：量产能力已就绪

关键技术节点 进展详情

量产能力 2025年Q1建成单壁碳纳米管量产线，年产能达5吨，纯度＞99%。

合作验证 材料性能已在比亚迪、鹏辉能源等合作方测试中验证，解决结块难题。

应用场景拓展 公司明确表示“正积极探索单壁碳纳米管在脑机接口和智能穿戴领域的应用”。

三、市场催化：中美脑机接口产业化加速

国内临床突破

2025年中国已开展3例侵入式脑机接口临床试验（上海、北京、杭州），技术路径与Neuralink对标57。

政策强力助推

北京、上海2025年出台脑机接口专项政策，支持临床试验与商业化落地；工信部将脑机接口列为未来产业核心赛道。

美股映射效应

零营收脑机公司暴涨283%，反映资本对技术突破的狂热预期，上游核心材料供应商（如道氏技术）或成价值洼地。

风险提示

脑机接口应用仍处早期，道氏技术相关业务尚未贡献规模营收（2025年4月互动平台表述）；

技术商业化进度依赖下游整机厂商研发节奏（如博睿康等企业的临床转化）。

总结：道氏技术通过 单壁碳纳米管 切入脑机接口核心供应链，技术性能达国际领先水平。尽管短期业绩贡献有限，但其材料突破性与量产能力已形成稀缺卡位，若下游临床加速落地，或引爆估值重估。

真的吗？