12 英寸衬底技术里程碑：2025 年 5 月，晶盛机电子公司成功研发 12 英寸导电型碳化硅（SiC）晶体，直径达 309mm 且质量完好浙江晶盛机电股份有限公司。这一突破使晶圆有效可用面积提升超 2 倍，单位芯片成本下降 30% 以上，直接对标英伟达等巨头对大尺寸衬底的需求。目前全球仅 Wolfspeed 等少数企业掌握类似技术，晶盛机电成为国内唯一具备 6-12 英寸全尺寸长晶能力的厂商浙江晶盛机电股份有限公司

    台积电推进 12 英寸 SiC 散热载板的消息可信度超过 80%，其技术逻辑与产业动态高度自洽。若 2025 年 Q4 慕尼黑电子展期间披露与英伟达的合作细节，或 2026 年 Q1 量产样品通过车规认证，可能成为股价催化剂。投资者可重点关注2025 年底台积电技术研讨会及天岳先进 12 英寸衬底出货量两大验证节点，这两个事件将决定技术落地的实际进度。长期来看，SiC 在先进封装领域的渗透将重塑半导体材料竞争格局，具备技术储备的厂商（如天岳先进、晶盛机电）有望显著受益。