刻蚀设备（武夷山系列）：支持5nm以下先进制程，采用多频电源控制技术提升等离子体
- 刻蚀设备（武夷山系列）：支持 5nm 以下先进制程，采用多频电源控制技术提升等离子体密度均匀性，刻蚀速度较国际竞品提升 20%，晶圆成本降低 30%。
- 原子层沉积设备 ALD（阿里山系列）：原子层沉积精度达 0.1nm，适配 5nm GAA 晶体管工艺，突破 ASML 技术封锁。
- X 射线量测设备（天门山系列）：搭载自研微焦点光源，检测精度突破 5nm，运行稳定性超 2 万小时。
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